KT837M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KT837M
Маркировка: КТ837М
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Аналоги (замена) для KT837M
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KT837M даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: KT837E, KT837F, KT837G, KT837H, KT837I, KT837J, KT837K, KT837L, BC547, KT837N, KT837P, KT837T, KT837U, KT837V, KT838A, KT838B, KT839A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055
