KT837N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT837N

Маркировка: КТ837Н

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

 Аналоги (замена) для KT837N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT837N даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT837F, KT837G, KT837H, KT837I, KT837J, KT837K, KT837L, KT837M, 2SC5200, KT837P, KT837T, KT837U, KT837V, KT838A, KT838B, KT839A, KT840A