KT855V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT855V

Маркировка: КТ855В

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

 Аналоги (замена) для KT855V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT855V даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT853A, KT853B, KT853G, KT853V, KT854A, KT854B, KT855A, KT855B, BD135, KT856A, KT856A-1, KT856B, KT856B-1, KT857A, KT858A, KT859A, KT863A