KTA1666. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTA1666

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для KTA1666

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTA1666 даташит

 ..1. Size:561K  jiangsu
kta1666.pdfpdf_icon

KTA1666

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L KTA1666 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Complementary to KTC4379 Small Flat Package 3. EMITTER Low Saturation Voltage Power Amplifier and Switching Application MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Co

 ..2. Size:86K  kec
kta1666.pdfpdf_icon

KTA1666

SEMICONDUCTOR KTA1666 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. POWER SWITCHING APPLICATIONS. A C FEATURES H Low Saturation Voltage G VCE(sat)=-0.5V(Max.) (IC=-1A) High Speed Switching Time tstg=1.0 S(Typ.) DIM MILLIMETERS PC=1 2W (Mounted on Ceramic Substrate) A 4.70 MAX D _ + D B 2.50 0.20 Small Flat Package. K C 1.70 MAX D 0.

 ..3. Size:364K  htsemi
kta1666.pdfpdf_icon

KTA1666

KTA1666 TRANSISTOR (PNP) SOT-89-3L FEATURES 1. BASE Complementary to KTC4379 Small Flat Package 2. COLLECTOR Low Saturation Voltage 3. EMITTER Power Amplifier and Switching Application MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V

 ..4. Size:357K  wietron
kta1666.pdfpdf_icon

KTA1666

KTA1666 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR P b Lead(Pb)-Free 1. BASE 1 2. COLLECTOR 2 3 3. EMITTER SOT-89 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta Rating Symbol Value Unit VCBO -50 V Collector-Base Voltage VCEO -50 V Collector-Emitter Voltage V VEBO -5 Emitter-Base Voltage IC Collector Current-Continuous -2.0 A PC 0.5 W Collector Power Disspation Junction Temperature TJ 150 C -55 t

Другие транзисторы: KTA1658, KTA1659, KTA1659A, KTA1660, KTA1661, KTA1662, KTA1663, KTA1664, MPSA42, KTA200, KTA2014S0, KTA2014S2, KTA2014S4, KTA2014S6, KTA2015, KTA2017, KTA2400