KTA2014S2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTA2014S2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для KTA2014S2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTA2014S2 даташит

 7.1. Size:230K  mcc
kta2014-gr-o-y.pdfpdf_icon

KTA2014S2

KTA2014-O MCC Micro Commercial Components TM KTA2014-Y 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 KTA2014-GR Fax (818) 701-4939 Features Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates PNP RoHS Compliant. See ordering information) Low frequency power amplifier application Plastic-Encapsulate Power switching

 7.2. Size:445K  secos
kta2014.pdfpdf_icon

KTA2014S2

KTA2014 -0.15A , -50V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURES Low frequency power amplifier application A Power switching application L 3 3 Top View C B CLASSIFICATION OF hFE 1 1 2 2 K E Product-Rank KTA2014-O KTA2014-Y KTA2014-GR Range 70 140 120 240

 7.3. Size:296K  kec
kta2014e.pdfpdf_icon

KTA2014S2

SEMICONDUCTOR KTA2014E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS Excellent hFE Linearity _ + A 1.60 0.10 D hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ Complementary to KTC4075E. E 1.60 0.10 + _ +

 7.4. Size:51K  kec
kta2014f.pdfpdf_icon

KTA2014S2

SEMICONDUCTOR KTA2014F TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES E Excellent hFE Linearity B hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). Complementary to KTC4075F. DIM MILLIMETERS 2 _ A 0.6 + 0.05 Thin Fine Pitch Small Package. 3 _ + B 0.8 0.05 C 0.38+0.02/-0.04 1 _ + D

Другие транзисторы: KTA1660, KTA1661, KTA1662, KTA1663, KTA1664, KTA1666, KTA200, KTA2014S0, S9018, KTA2014S4, KTA2014S6, KTA2015, KTA2017, KTA2400, KTA562TM, KTA940, KTA968