KTB1366. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTB1366

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для KTB1366

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB1366 даташит

 ..1. Size:446K  kec
 ktb1366.pdf pdf_icon

KTB1366

SEMICONDUCTOR KTB1366 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. A C FEATURES DIM MILLIMETERS S Low Collector Saturation Voltage _ A 10.0 + 0.3 _ + B 15.0 0.3 E VCE(sat)=-1.0V(Max.) at IC=-2A, IB=-0.2A. C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 Collector Power Dissipation _ E 3.2 0.2 + PC=25W (Tc=25 ) _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + Comple

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
 ktb1366.pdf pdf_icon

KTB1366

isc Silicon PNP Power Transistor KTB1366 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 25 W@ T = 25 C C Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max)@ (I = -2A, I = -0.2A) CE(sat) C B Complement to Type KTD2058 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATI

 8.1. Size:448K  kec
 ktb1368.pdf pdf_icon

KTB1366

SEMICONDUCTOR KTB1368 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. A C FEATURES DIM MILLIMETERS S Good Linearity of hFE. _ A 10.0 + 0.3 _ + B 15.0 0.3 E Complementary to KTD2060. C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 _ E 3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05 _ + J 13.6 0.5 L L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) R K _ 3.7 0.2

 8.2. Size:445K  kec
 ktb1367.pdf pdf_icon

KTB1366

SEMICONDUCTOR KTB1367 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. A C FEATURES DIM MILLIMETERS S Low Collector-Emitter Saturation Voltage _ A 10.0 + 0.3 _ + B 15.0 0.3 E VCE(sat)=-2.0V(Max.). C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 Complementary to KTD2059. _ E 3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05 _ + J 13.6 0.5 L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KTA2014S6, KTA2015, KTA2017, KTA2400, KTA562TM, KTA940, KTA968, KTA968A, BDT88, KTB1367, KTB1368, KTB1369, KTB1370, KTB1423, KTB1424, KTB2955, KTB595