KTB595. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTB595

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KTB595

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTB595 даташит

 9.1. Size:33K  kec
 ktb598.pdf pdf_icon

KTB595

SEMICONDUCTOR KTB598 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMP, CONVERTER ELECTRONIC GOVERNOR APPLICATIONS B C FEATURES Low Saturation Voltage VCE(sat)=-0.3V(Max.) at IC=-0.5A. N DIM MILLIMETERS Complementary to KTD545. A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.45 _ H J 14.00 + 0.50

Другие транзисторы: KTB1366, KTB1367, KTB1368, KTB1369, KTB1370, KTB1423, KTB1424, KTB2955, 2N5551, KTB688, KTB778, KTB817, KTB988, KTB989, KTC1001, KTC1003, KTC1006