Биполярный транзистор KTC3199 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTC3199
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
KTC3199 Datasheet (PDF)
ktc3199.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92S Plastic-Encapsulate TransistorsTO 92S KTC3199 TRANSISTOR (NPN)1. EMITTERFEATURES 2. COLLECTOR High DC Current Gain3. BASE Complementary to KTA1267123 Equivalent Circuit C3199C3199=Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device XXX=Code ORDERING INFORM
ktc3199.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3199TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATIONSWITCHING APPLICATION.BFEATURES High DC Current Gain : hFE=70~700. Excellent hFE LinearityDIM MILLIMETERSOA 3.20 MAX: hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.).HM B 4.30 MAXC 0.55 MAX Low Noise : NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.)._D 2.40 + 0.15E 1.27 Complementary to KTA1267.F 2.30
ktc3199-bl-gr-o-y.pdf
KTC3199-OMCCMicro Commercial ComponentsTMKTC3199-Y20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311KTC3199-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939 KTC3199-BLFeatures High DC Current Gain: hFE=70~700NPN General Excellent hFE Linearity: hFE(0.1mA)/hFE(2.0mA)=0.95(Typ) Low Noise: NF=1.0dB(Typ.), 10dB(Max.)Purpose Application Compl
ktc3199l.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3199LTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORLOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATION.FEATURES B High DC Current Gain : hFE=70 700. Excellent hFE Linearity: hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.).DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAX Low Noise : NF=0.2dB(Typ.), 3dB(Max.).HM B 4.30 MAXC 0.55 MAX Complementary to KTA1267L._D 2.40 + 0.15E 1.27F 2.30C_+
ktc3199m.pdf
KTC3199M(BR3DG3199M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features , h , FEHigh DC current gain, excellent hFE linearity, low noise / Applications General amplifier
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050