Справочник транзисторов. KTD1351

 

Биполярный транзистор KTD1351 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTD1351
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KTD1351 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:244K  secos
ktd1304.pdfpdf_icon

KTD1351

KTD1304 0.3 A, 25 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead free FEATURES High emitter-base voltage: VEBO=12V(Min) low on resistance: Ron=0.6(max)(IB=1mA) PACKAGE DIMENSIONS SOT-23Collector3Dim Min MaxA 2.800 3.0401BaseB 1.200 1.4002EmitterC 0.890 1.110D

 9.2. Size:496K  kec
ktd1303.pdfpdf_icon

KTD1351

SEMICONDUCTOR KTD1303TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORAUDIO MUTING APPLICATION.FEATURESBHigh Emitter-Base Voltage : VEBO=12V(Min.).High Reverse hFE: Reverse hFE=20(Min.) (VCE=2V, IC=4mA).DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAXLow on Resistance :RON=0.6(Typ.) (IB=1mA).HM B 4.30 MAXC 0.55 MAX_D 2.40 + 0.15E 1.27F 2.30C_+G 14.00 0.50H 0.60 MAX

 9.3. Size:70K  kec
ktd1302.pdfpdf_icon

KTD1351

SEMICONDUCTOR KTD1302TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORAUDIO MUTING APPLICATION.B CFEATURES High Emitter-Base Voltage : VEBO=12V(Min.). High Reverse hFE: Reverse hFE=20(Min.) (VCE=2V, IC=4mA).N DIM MILLIMETERS Low on Resistance :RON=0.6 (Typ.) (IB=1mA).A 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85MAXIMUM RATING (Ta=25 )H 0.45

 9.4. Size:354K  kec
ktd1304.pdfpdf_icon

KTD1351

SEMICONDUCTOR KTD1304TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORAUDIO MUTING APPLICATION.FEATURESEL B LHigh Emitter-Base Voltage : VEBO=12V(Min.).DIM MILLIMETERSHigh Reverse hFE_+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15: Reverse hFE=20(Min.) (VCE=2V, IC=4mA).C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Low on Resistance : RON=0.6(Max.) (IB=1mA).E 2.40+0.30/-0.201G 1.90

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BCP56T1 | DTC115TM | DRC3A43X | DTA024EEB | ZTX454 | KRC407V | BF393

 

 
Back to Top

 


 
.