KTD1414 - описание и поиск аналогов

 

KTD1414. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KTD1414

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для KTD1414

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD1414 даташит

 ..1. Size:449K  kec
ktd1414.pdfpdf_icon

KTD1414

SEMICONDUCTOR KTD1414 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER A C APPLICATIONS. DIM MILLIMETERS S _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E FEATURES C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 High DC Current Gain hFE=2000(Min.) at VCE=2V, IC=1A. _ E 3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05 _ + J 1

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
ktd1414.pdfpdf_icon

KTD1414

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KTD1414 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max) @I = 3A CE(sat) C High DC Current Gain h = 2000(Min) @ I = 1A, V = 2V FE C CE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applicati

 8.1. Size:455K  kec
ktd1415.pdfpdf_icon

KTD1414

SEMICONDUCTOR KTD1415 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER A C APPLICATIONS. DIM MILLIMETERS S _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E FEATURES C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 High DC Current Gain hFE=2000(Min.) at VCE=3V, IC=3A. _ E 3.2 0.2 + Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.5V(Max.) at IC

 8.2. Size:444K  kec
ktd1413.pdfpdf_icon

KTD1414

SEMICONDUCTOR KTD1413 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER A C APPLICATIONS. DIM MILLIMETERS S _ A 10.0 0.3 + _ + B 15.0 0.3 E FEATURES C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 High DC Current Gain hFE=2000(Min.) at VCE=2V, IC=3A. _ E 3.2 0.2 + Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.5V(Max.) at IC

Другие транзисторы: KTD1145, KTD1146, KTD1302, KTD1303, KTD1304, KTD1351, KTD1352, KTD1413, D882, KTD1415, KTD1937, KTD2058, KTD2059, KTD2060, KTD2061, KTD2066, KTD2092

 

 

 

 

↑ Back to Top
.