Справочник транзисторов. KTD1414

 

Биполярный транзистор KTD1414 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KTD1414
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO220F
 

 Аналог (замена) для KTD1414

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTD1414 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  kec
ktd1414.pdfpdf_icon

KTD1414

SEMICONDUCTOR KTD1414TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER ACAPPLICATIONS.DIM MILLIMETERSS_A 10.0 0.3+_+B 15.0 0.3EFEATURESC _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) at VCE=2V, IC=1A._E 3.2 0.2+_F 3.0 0.3+_12.0 0.3G +H 0.5+0.1/-0.05_+J 1

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
ktd1414.pdfpdf_icon

KTD1414

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KTD1414DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max) @I = 3ACE(sat) CHigh DC Current Gain: h = 2000(Min) @ I = 1A, V = 2VFE C CEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicati

 8.1. Size:455K  kec
ktd1415.pdfpdf_icon

KTD1414

SEMICONDUCTOR KTD1415TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER ACAPPLICATIONS.DIM MILLIMETERSS_A 10.0 0.3+_+B 15.0 0.3EFEATURESC _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) at VCE=3V, IC=3A._E 3.2 0.2+Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1.5V(Max.) at IC

 8.2. Size:444K  kec
ktd1413.pdfpdf_icon

KTD1414

SEMICONDUCTOR KTD1413TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVER ACAPPLICATIONS.DIM MILLIMETERSS_A 10.0 0.3+_+B 15.0 0.3EFEATURESC _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) at VCE=2V, IC=3A._E 3.2 0.2+Low Saturation Voltage : VCE(sat)=1.5V(Max.) at IC

Другие транзисторы... KTD1145 , KTD1146 , KTD1302 , KTD1303 , KTD1304 , KTD1351 , KTD1352 , KTD1413 , A1941 , KTD1415 , KTD1937 , KTD2058 , KTD2059 , KTD2060 , KTD2061 , KTD2066 , KTD2092 .

History: BC212B | 2SA811 | PXTA92 | MPSA13ZL1G | RT656M

 

 
Back to Top

 


 
.