Биполярный транзистор 2N1099 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1099
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 95 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.15 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO36
2N1099 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1092 , 2N1093 , 2N1094 , 2N1095 , 2N109-5 , 2N1096 , 2N1097 , 2N1098 , 2SD669 , 2N110 , 2N1100 , 2N1101 , 2N1102 , 2N1103 , 2N1104 , 2N1105 , 2N1106 .