2N1099. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N1099
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 95 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.15 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35
Корпус транзистора: TO36
Аналоги (замена) для 2N1099
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N1099 даташит
Другие транзисторы: 2N1092, 2N1093, 2N1094, 2N1095, 2N109-5, 2N1096, 2N1097, 2N1098, D667, 2N110, 2N1100, 2N1101, 2N1102, 2N1103, 2N1104, 2N1105, 2N1106
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a





