2N1099. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1099

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 95 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO36

 Аналоги (замена) для 2N1099

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1099 даташит

 ..1. Size:353K  rca
2n1099.pdfpdf_icon

2N1099

 9.1. Size:246K  rca
2n1091.pdfpdf_icon

2N1099

 9.2. Size:589K  rca
2n1092.pdfpdf_icon

2N1099

 9.3. Size:544K  rca
2n109.pdfpdf_icon

2N1099

Другие транзисторы: 2N1092, 2N1093, 2N1094, 2N1095, 2N109-5, 2N1096, 2N1097, 2N1098, D667, 2N110, 2N1100, 2N1101, 2N1102, 2N1103, 2N1104, 2N1105, 2N1106