MD6001 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MD6001 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: p*n
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO77
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MD6001
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MD6001 даташит
nimd6001n nimd6001an.pdf
NIMD6001N, NIMD6001AN Dual N-Channel Driver with Diagnostic Output 60 V, 3 A, 110 mW NIMD6001N/AN is a dual 3 Amp low-side switch with an integrated common disable input and drain diagnostic output. Pulling http //onsemi.com the Disable pin low will override any applied gate voltages and turn off both FET switches. Should either Drain-Source voltage exceed 3.0 AMPERES approximately 50
nimd6001n.pdf
NIMD6001N, NIMD6001AN Dual N-Channel Driver with Diagnostic Output 60 V, 3 A, 110 mW NIMD6001N/AN is a dual 3 Amp low-side switch with an integrated common disable input and drain diagnostic output. Pulling http //onsemi.com the Disable pin low will override any applied gate voltages and turn off both FET switches. Should either Drain-Source voltage exceed 3.0 AMPERES approximately 50
wnmd6003.pdf
WNMD6003 WNMD6003 Dual N-Channel, 60V, 0.30A, Power MOSFET Http// www.sh-willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) 1.4@ VGS=10V 60 1.7@ VGS=4.5V ESD Rating 2000V HBM SOT-563 Descriptions The WNMD6003 is Dual N-Channel enhancem -ent MOS Field Effect Transistor. Uses advanced D1 G2 S2 trench technology and design to provide excellent 6 5 4 RDS (ON) with low gate charge. This d
Другие транзисторы: MD3725, MD3725F, MD3762, MD3762F, MD4260, MD4261, MD4957, MD5000, 2SD718, MD6001F, MD6002, MD6002F, MD6003, MD6003F, MD6100, MD6100F, MD6900
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816




