MG50G2CL3 - описание и поиск аналогов

 

MG50G2CL3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MG50G2CL3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 520 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: X99

 Аналоги (замена) для MG50G2CL3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MG50G2CL3 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: MG100H1AL2, MG100H2DL1, MG15G1AL3, MG15G6EL1, MG200H1AL1, MG30G1BL2, MG30G2CL3, MG50G1BL2, 2SD2499, MG75H2DL1, MGT108A, MGT108B, MGT108D, MGT108G, MGT108V, MH0810, MH0811

 

 

 

 

↑ Back to Top
.