MJ1001. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MJ1001
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для MJ1001
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MJ1001 даташит
mj1001.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJ1001 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 80V(Min.) High DC Current Gain- hFE= 1000(Min.)@IC= 3A Low Collector Saturation Voltage- VCE (sat)= 2.0V(Max.)@ IC= 3A APPLICATIONS Designed for use as output devices in complementary general purpose
mj10015r.pdf
Order this document MOTOROLA by MJ10015/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJ10015 MJ10016 SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Darlington 50 AMPERE Transistors with Base-Emitter NPN SILICON POWER DARLINGTON Speedup Diode TRANSISTORS 400 AND 500 VOLTS The MJ10015 and MJ10016 Darlington transistors are designed for high voltage, 250 WATTS high speed, power switching in inductive
mj10012 mj10012r.pdf
Order this document MOTOROLA by MJ10012/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJ10012 MJH10012 NPN Silicon Power Darlington Transistor 10 AMPERE The MJ10012 and MJH10012 are high voltage, high current Darlington transistors POWER TRANSISTORS designed for automotive ignition, switching regulator and motor control applications. DARLINGTON NPN Collector Emitter Sustaining Voltage
mj900-mj901-mj1000-mj1001-1.pdf
COMSET SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS MJ900 MJ901 PNP MJ1000 MJ1001 NPN COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS The MJ900, MJ901, MJ1000 and MJ1001 are silicon epitaxial-bas transistors in monolithic Darlington configuration, and are mounted in JEDEC TO-3 metal case. They are intended for use in power linear and switching applications. PNP types are the MJ900 and MJ901, and their compl
Другие транзисторы: MJ10004, MJ10004P, MJ10005, MJ10005P, MJ10006, MJ10007, MJ10008, MJ10009, TIP41, MJ10011, MJ10012, MJ10013, MJ10014, MJ10015, MJ10016, MJ10020, MJ10021
History: BC485A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet




