Биполярный транзистор MJ10100 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: MJ10100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4000 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SPECIAL
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам