MJ15022 - описание и поиск аналогов

 

MJ15022. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ15022

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ15022

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ15022 даташит

 ..1. Size:161K  onsemi
mj15022 mj15024.pdfpdf_icon

MJ15022

MJ15022 (NPN), MJ15024 (NPN) Silicon Power Transistors The MJ15022 and MJ15024 are power transistors designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. Features http //onsemi.com High Safe Operating Area High DC Current Gain 16 AMPERES These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant* SILICON POWER TRANSISTORS 200 - 250 VOLTS, 250 WATTS

 ..2. Size:114K  jmnic
mj15022 mj15024.pdfpdf_icon

MJ15022

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors MJ15022 MJ15024 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type MJ15023 MJ15025 Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain hFE = 15 (Min) @ IC = 8 Adc APPLICATIONS Designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Bas

 ..3. Size:191K  cn sptech
mj15022 mj15024.pdfpdf_icon

MJ15022

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistors MJ15022/15024 DESCRIPTION Complement to Type PNP MJ15023/15025 Excellent Safe Operating Area High DC current Gain APPLICATIONS Designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT MJ15022 350 V Collector-Base Voltag

 ..4. Size:215K  inchange semiconductor
mj15022 mj15024.pdfpdf_icon

MJ15022

isc Silicon NPN Power Transistors MJ15022/15024 DESCRIPTION Complement to Type PNP MJ15023/15025 Excellent Safe Operating Area High DC current Gain Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL PARA

Другие транзисторы: MJ15011, MJ15012, MJ15015, MJ15016, MJ15018, MJ15019, MJ15020, MJ15021, BD139, MJ15023, MJ15024, MJ15025, MJ15026, MJ15027, MJ150BK100, MJ16002, MJ16002A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.