Биполярный транзистор MJ3041 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MJ3041
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: TO3
Аналог (замена) для MJ3041
MJ3041 Datasheet (PDF)
mj3041.pdf

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJ3041DESCRIPTIONHigh DC Current GainLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for line operated amplifier series passand switching regulator applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P
mj3042.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor MJ3042 DESCRIPTION Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC current gain- hFE = 250 (Min) @ IC =2.5A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)=350V(Min) APPLICATIONSDeveloped for line operated amplifier, series pass and Switching regulator applications. ABSOLUTE
mj3040.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor MJ3040 DESCRIPTION Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC current gain- hFE = 100 (Min) @ IC =2.5A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)=300V(Min) APPLICATIONSDeveloped for line operated amplifier, series pass and Switching regulator applications. ABSOLUTE
Другие транзисторы... MJ3010 , MJ3011 , MJ3026 , MJ3027 , MJ3028 , MJ3029 , MJ3030 , MJ3040 , 8550 , MJ3042 , MJ3101 , MJ3201 , MJ3202 , MJ3237 , MJ3238 , MJ3248 , MJ3260 .
History: NB222YJ | UMB3NFHA | BF435 | KRA306 | 40407S | 3DD8 | DDTC113TCA
History: NB222YJ | UMB3NFHA | BF435 | KRA306 | 40407S | 3DD8 | DDTC113TCA



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet