MJ431. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ431

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 325 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ431

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ431 даташит

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 mj431.pdf pdf_icon

MJ431

isc Silicon NPN Power Transistor MJ431 DESCRIPTION Collector-Emitter Voltage- V = 400V(Min) CEX DC Current Gain- h = 15-35@ I = 2.5A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium-to-high-voltage inverters, converters, regulators and switching circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

Другие транзисторы: MJ423, MJ4237, MJ4238, MJ424, MJ4240, MJ4247, MJ4248, MJ425, D882, MJ432, MJ4360, MJ4361, MJ4380, MJ4381, MJ440, MJ4401, MJ4440