Биполярный транзистор MJ50AC100 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: MJ50AC100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 850 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4000 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SPECIAL
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам