MJ8100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ8100

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для MJ8100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ8100 даташит

 0.1. Size:10K  semelab
 mj8100r.pdf pdf_icon

MJ8100

MJ8100R Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 60V dia. IC = 5A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3

Другие транзисторы: MJ7000, MJ7160, MJ7161, MJ7200, MJ7201, MJ7260, MJ7261, MJ802, A1013, MJ8101, MJ8400, MJ8500, MJ8501, MJ8502, MJ8503, MJ8504, MJ8505