Справочник транзисторов. MJD243-1

 

Биполярный транзистор MJD243-1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJD243-1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO252
 

 Аналог (замена) для MJD243-1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJD243-1 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:209K  motorola
 mjd243re.pdf pdf_icon

MJD243-1

Order this documentMOTOROLAby MJD243/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAPlastic Power Transistor MJD243*DPAK For Surface Mount Applications*Motorola Preferred Device. . . designed for low voltage, lowpower, highgain audio amplifier applications.NPN SILICON CollectorEmitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdcPOWER TRANSISTOR High DC Curr

 8.2. Size:200K  onsemi
 mjd243g.pdf pdf_icon

MJD243-1

MJD243,NJVMJD243T4G (NPN),MJD253,NJVMJD253T4G (PNP)Complementary Siliconhttp://onsemi.comPlastic Power TransistorDPAK-3 for Surface Mount Applications4.0 A, 100 V, 12.5 WPOWER TRANSISTORDesigned for low voltage, low-power, high-gain audio amplifierapplications.Features Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc High DC Cu

 8.3. Size:107K  onsemi
 mjd243 mjd253.pdf pdf_icon

MJD243-1

MJD243 (NPN),MJD253 (PNP)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsDPAK-3 for Surface Mount Applicationswww.onsemi.comDesigned for low voltage, low-power, high-gain audio amplifierapplications.4.0 A, 100 V, 12.5 WFeaturesPOWER TRANSISTOR High DC Current Gain Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves COMPLEMENTARY(No Suffix)COLLECTOR COLL

 8.4. Size:200K  onsemi
 njvmjd243 njvmjd253.pdf pdf_icon

MJD243-1

MJD243,NJVMJD243T4G (NPN),MJD253,NJVMJD253T4G (PNP)Complementary Siliconhttp://onsemi.comPlastic Power TransistorDPAK-3 for Surface Mount Applications4.0 A, 100 V, 12.5 WPOWER TRANSISTORDesigned for low voltage, low-power, high-gain audio amplifierapplications.Features Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc High DC Cu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJD13003 , MJD148 , MJD200 , MJD200-1 , MJD210 , MJD210-1 , MJD210T4 , MJD243 , 2N2907 , MJD243T4 , MJD2955 , MJD2955-1 , MJD2955T4 , MJD3055 , MJD3055-1 , MJD3055T4 , MJD31 .

History: FP1A3M | DTB218 | 2T6541 | 2SC2482-Y | NR431DF | CTN393 | DC5021

 

 
Back to Top

 


 
.