Биполярный транзистор MJD3055T4 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MJD3055T4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO252
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MJD3055T4 Datasheet (PDF)
mjd3055t4g.pdf

MJD2955,NJVMJD2955T4G (PNP)MJD3055,NJVMJD3055T4G (NPN)Complementary Powerhttp://onsemi.comTransistorsDPAK For Surface Mount ApplicationsSILICONPOWER TRANSISTORSDesigned for general purpose amplifier and low speed switching10 AMPERESapplications.60 VOLTS, 20 WATTSFeatures Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves(No Suffix) Straight Lea
mjd2955r mjd3055.pdf

Order this documentMOTOROLAby MJD2955/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNMJD2955Complementary PowerPNPMJD3055TransistorsDPAK For Surface Mount ApplicationsDesigned for general purpose amplifier and low speed switching applications.SILICON Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)POWER TRANSISTORS Straight Lead Version in Plastic S
mjd2955 mjd3055.pdf

MJD2955MJD3055COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)POWER PACKAGE IN TAPE & REEL(SUFFIX "T4") ELECTRICALLY SIMILAR TO MJE2955TAND MJE3055T3APPLICATIONS 1 GENERAL PURPOSE SWITCHING ANDAMPLIFIERDPAKDESCRIPTION TO-252The MJD2955 and MJD3055 form(Suffix "T4")complementary PNP-NPN pairs. They a
mjd3055.pdf

MJD3055General Purpose AmplifierLow Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, -I Suffix)D-PAK I-PAK11 Electrically Similar to Popular MJE3055T1.Base 2.Collector 3.Emitter DC Current Gain Specified to 10A High Current Gain - Bandwidth Product: fT = 2
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: FJX4014R | 2SC2388 | BD695A | 2N6208 | BC238B | 2N3026 | NTE27
History: FJX4014R | 2SC2388 | BD695A | 2N6208 | BC238B | 2N3026 | NTE27



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198