Биполярный транзистор MJD350-1 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MJD350-1
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO252
Аналог (замена) для MJD350-1
MJD350-1 Datasheet (PDF)
mjd340re mjd350.pdf

Order this documentMOTOROLAby MJD340/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN*MJD340High Voltage Power Transistors PNPMJD350*DPAK For Surface Mount ApplicationsDesigned for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers*Motorola Preferred Deviceand other switching applications. Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
mjd340 mjd350.pdf

MJD340MJD350COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)POWER PACKAGE IN TAPE & REEL(SUFFIX "T4")3 ELECTRICAL SIMILAR TO MJE340 ANDMJE3501APPLICATIONS SOLENOID/RELAY DRIVERS DPAK GENERAL PURPOSE SWITCHING ANDTO-252AMPLIFIER (S
mjd350.pdf

MJD350High Voltage Power Transistors D-PAK for Surface Mount Applications Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix)D-PAK I-PAK111.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 300 V VCEO
mjd350.pdf

MJD350 300V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN TO252 (DPAK) Features Mechanical Data BVCEO > -300V Case: TO252 (DPAK) Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound IC = -0.5A Continuous Collector Current UL Flammability Classification Rating 94V-0 ICM = -0.75A Peak Pulse Current Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Ideal for Power Switc
Другие транзисторы... MJD32C , MJD32C-1 , MJD32CT4 , MJD32T4 , MJD340 , MJD340-1 , MJD340T4 , MJD350 , 2N3906 , MJD350T4 , MJD41C , MJD41C-1 , MJD41CT4 , MJD42C , MJD42C-1 , MJD42CT4 , MJD44H11 .
History: SD4261 | TN4143 | 2SB279
History: SD4261 | TN4143 | 2SB279



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220