MJD47-1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MJD47-1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для MJD47-1
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
MJD47-1 даташит
mjd47 mjd50.pdf
Order this document MOTOROLA by MJD47/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJD47* MJD50* High Voltage Power Transistors *Motorola Preferred Device DPAK For Surface Mount Applications NPN SILICON Designed for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers POWER TRANSISTORS and other switching applications. 1 AMPERE Lead Formed for Surface Mount Applications in
mjd47.pdf
MJD47 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX "T4") ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP47 3 APPLICATIONS 1 SWITCH MODE POWER SUPPLIES AUDIO AMPLIFIERS DPAK GENERAL PURPOSE SWITCHING AND TO-252 AMPLIFIER (Suffix "T4") DESCRIPTION T
mjd47 mjd50.pdf
MJD47/50 High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular TIP47 and TIP50 D-PAK I-PAK 11 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter
njvmjd47t4g njvmjd50t4g.pdf
MJD47, NJVMJD47T4G, MJD50, NJVMJD50T4G High Voltage Power Transistors DPAK for Surface Mount Applications http //onsemi.com Designed for line operated audio output amplifier, switchmode supply drivers and other switching applications. NPN SILICON POWER Features TRANSISTORS Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves 1 AMPERE (No Suffix) 250, 400 VOLTS, 15 WAT
Другие транзисторы... MJD42CT4 , MJD44H11 , MJD44H11-1 , MJD44H11T4 , MJD45H11 , MJD45H11-1 , MJD45H11T4 , MJD47 , S9014 , MJD47T4 , MJD50 , MJD50-1 , MJD50T4 , MJD5731 , MJD6036 , MJD6036-1 , MJD6036T4 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p









