Биполярный транзистор MJE233 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJE233
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO126
MJE233 Datasheet (PDF)
mje2360t.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJE2360T/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJE2360TMJE2361TNPN Silicon High-VoltageTransistor0.5 AMPEREPOWER TRANSISTORS. . . useful for generalpurpose, high voltage applications requiring high fT.NPN SILICON CollectorEmitter Sustaining Voltage 350 VOLTSVCEO(sus) = 350 Vdc (Min) @ IC = 2.5 mAdc30 WATTS DC Current Gain
mje2360t.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJE2360TDESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 350 V(Min)CEO(SUS)DC Current Gain-: h = 25(Min) @ I = 50mAFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.)@ I = 100mACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low power audio amplifier
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050