2N4298 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N4298 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N4298
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO66

Аналоги (замена) для 2N4298

2N4298 Datasheet (PDF)

..1. Size:65K central
2n4296 2n4298 2n4299.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

..2. Size:186K inchange semiconductor
2n4298.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4298DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for switching regulator applications where highfrequency and high voltage swings and requiredABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

9.1. Size:142K 1
2n4288 2n4289 2n4290 2n4291.pdf