Биполярный транзистор MJE5171 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJE5171
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220
MJE5171 Datasheet (PDF)
mje5170 mje5171 mje5172.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors MJE5170/5171/5172DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -120V(Min)- MJE5170CEO(SUS)= -140V(Min)- MJE5171= -160V(Min)- MJE5172Low Saturation VoltageComplement to the NPN MJE5180/5181/5182Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose
mje51t.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJE51TDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 250V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage inverters, switching regulatorsand line operated amplifier applications. Especially wellsuited for switching power supply applicationsABSOLU
mje5180 mje5181 mje5182.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors MJE5180/5181/5182DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 120V(Min)- MJE5180CEO(SUS)= 140V(Min)- MJE5181= 160V(Min)- MJE5182Low Saturation VoltageComplement to Type MJE5170/5171/5172Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose ampli
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
