MJF16212. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MJF16212
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4
Корпус транзистора: ISOWATT218
Аналоги (замена) для MJF16212
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MJF16212 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: MJF15030, MJF15031, MJF16002, MJF16006A, MJF16010A, MJF16204, MJF16206, MJF16210, TIP35C, MJF18002, MJF18004, MJF18006, MJF18008, MJF2955, MJF3055, MJF47, MJF6107
History: MUN2138T1G | FXT2221A | MUN2137T1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786
