2N4356 - описание и поиск аналогов

 

2N4356. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4356

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO106

 Аналоги (замена) для 2N4356

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4356 даташит

 9.1. Size:18K  calogic
 2n4352.pdf pdf_icon

2N4356

P-Channel Enhancement Mode MOSFET Amplifier/Switch CORPORATION 2N4352 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise noted) A Low ON Resistance Low Capacitance Drain-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V High Gain Drain-Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V P-Chann

 9.2. Size:217K  linear-systems
 2n4351.pdf pdf_icon

2N4356

2N4351 N-CHANNEL MOSFET Linear Integrated Systems ENHANCEMENT MODE FEATURES DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 2N4351 HIGH DRAIN CURRENT ID = 100mA TO-72 HIGH GAIN gfs = 1000 S BOTTOM VIEW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 @ 25 C (unless otherwise stated) G 2 3 D Maximum Temperatures Storage Temperature -65 to +200 C Operating Junction Temperature -55 to +150 C 1 4 S

Другие транзисторы: 2N434, 2N4346, 2N4347, 2N4348, 2N4349, 2N4350, 2N4354, 2N4355, BC547, 2N4357, 2N4358, 2N4359, 2N438, 2N4383, 2N4384, 2N4385, 2N4386

 

 

 

 

↑ Back to Top
.