MM1803. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MM1803

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для MM1803

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MM1803 даташит

 9.1. Size:681K  way-on
 wmm180n03ts.pdf pdf_icon

MM1803

WMM180N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM180N03TS uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G maintain superior switching performance. S TO-263 Features V = 30V, I = 180A DS D R

Другие транзисторы: MM1738, MM1739, MM1748, MM1748A, MM1755, MM1756, MM1757, MM1758, A733, MM1812, MM1893, MM1941, MM1943, 3CA4F, MM2005-2, MM2193A, MM2258