MM3003 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MM3003

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для MM3003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MM3003 даташит

 9.1. Size:41K  ixys
 vmm300-03f.pdf pdf_icon

MM3003

Advanced Technical Information VMM 300-03F VDSS = 300 V Dual Power ID25 = 290 A HiPerFETTM Module RDS(on) typ. = 7.4 mW 3 8 9 3 Phaseleg Configuration 1 2 11 1 High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family 10 9 11 8 10 2 Symbol Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 10 kW 300 V Features VGS Continuous 20 V VGSM Transient

Другие транзисторы: MM2614, MM2711, MM2712, MM2894, MM2894A, MM3000, MM3001, MM3002, D209L, MM3004, MM3005, MM3006, MM3007, MM3008, MM3009, MM3019, MM3020