MM3008 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MM3008

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для MM3008

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MM3008 даташит

 9.1. Size:41K  ixys
 vmm300-03f.pdf pdf_icon

MM3008

Advanced Technical Information VMM 300-03F VDSS = 300 V Dual Power ID25 = 290 A HiPerFETTM Module RDS(on) typ. = 7.4 mW 3 8 9 3 Phaseleg Configuration 1 2 11 1 High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family 10 9 11 8 10 2 Symbol Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 10 kW 300 V Features VGS Continuous 20 V VGSM Transient

Другие транзисторы: MM3000, MM3001, MM3002, MM3003, MM3004, MM3005, MM3006, MM3007, D965, MM3009, MM3019, MM3020, MM3053, MM3220, MM3375, MM3375A, MM3724