Биполярный транзистор 2N4386 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N4386
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO18
2N4386 Datasheet (PDF)
2n4387.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2N4387DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAll semelab hermetically sealed products,can be processedin accordance with the requirements of BS,CECC,andJAN,JANTX and JANTXV and JA
2n4388.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2N4388DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAll semelab hermetically sealed products,can be processedin accordance with the requirements of BS,CECC,andJAN,JANTX and JANTXV and JA
Другие транзисторы... 2N4356 , 2N4357 , 2N4358 , 2N4359 , 2N438 , 2N4383 , 2N4384 , 2N4385 , TIP3055 , 2N4387 , 2N4388 , 2N4389 , 2N438A , 2N439 , 2N4390 , 2N4395 , 2N4396 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050