2N4386 - описание и поиск аналогов

 

2N4386. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4386

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N4386

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4386 даташит

 9.1. Size:185K  inchange semiconductor
 2n4387.pdf pdf_icon

2N4386

isc Silicon PNP Power Transistor 2N4387 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS All semelab hermetically sealed products,can be processed in accordance with the requirements of BS,CECC,and JAN,JANTX and JANTXV and JA

 9.2. Size:185K  inchange semiconductor
 2n4388.pdf pdf_icon

2N4386

isc Silicon PNP Power Transistor 2N4388 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS All semelab hermetically sealed products,can be processed in accordance with the requirements of BS,CECC,and JAN,JANTX and JANTXV and JA

Другие транзисторы: 2N4356, 2N4357, 2N4358, 2N4359, 2N438, 2N4383, 2N4384, 2N4385, C1815, 2N4387, 2N4388, 2N4389, 2N438A, 2N439, 2N4390, 2N4395, 2N4396

 

 

 

 

↑ Back to Top
.