MMBA811C6 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MMBA811C6 📄📄
Маркировка: C6
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для MMBA811C6
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MMBA811C6 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: MM8008, MM8009, MM801, MM8010, MM8011, MM8012, MM869B, MMBA811C5, 2SA1015, MMBA811C7, MMBA811C8, MMBA812M3, MMBA812M4, MMBA812M5, MMBA812M6, MMBA812M7, MMBC1009F1
History: MJD44H11T4G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet
