Биполярный транзистор MMBC1009F3 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: MMBC1009F3
   Маркировка: F3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам