Биполярный транзистор MMBT1613A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MMBT1613A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO236
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MMBT1613A Datasheet (PDF)
mmbt1616a.pdf

MMBT1616AFeatures Halogen Free. "Green" Device (Note 1) Moisture Sensitivity Level 1 Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingNPN General Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Purpose AmplifierMaximum Ratings @ 25C Unless Otherwise Specified Operating Junction Temperature Range: -55 to +150
mmbt1616 mmbt1616a.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT1616/A NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 3 DESCRIPTION * Audio frequency power amplifier * Medium speed switching 21SOT-23(JEDEC TO-236) ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3MMBT1616L-x-AE3-R MMBT1616G-x-AE3-R SOT-23 B E C Tape ReelMM
mmbt1616a.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors J C T MMBT1616A TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES Audio frequency power amplifier Medium speed switching MARKING:16A 1. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2. EMITTER Symbol Parameter Value Unit3. COLLECTOR VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Coll
mmbt1616.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT1616 TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES Audio frequency power amplifier Medium speed switching MARKING:16 1. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2. EMITTER Symbol Parameter Value Unit3. COLLECTOR VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emit
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2N916 | MMBR4957LT3 | 3DD13009_C8
History: 2N916 | MMBR4957LT3 | 3DD13009_C8



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor