Справочник транзисторов. MMBT1893

 

Биполярный транзистор MMBT1893 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT1893
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO236
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT1893 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:243K  mcc
mmbt1815-h-l.pdfpdf_icon

MMBT1893

MMBT1815-LMCCMicro Commercial ComponentsTMMMBT1815-H20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939NPN EPITAXIALFeatures Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates SILICON TRANSISTORRoHS Compliant. See ordering information) Collector-Emitter voltage: BVCEO=50V Collector current up t

 8.2. Size:230K  utc
mmbt1815.pdfpdf_icon

MMBT1893

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT1815 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY NPN AMPLIFIER TRANSISTOR FEATURES * Collector-Emitter Voltage: BVCEO=50V * Collector Current up to 150mA * High hFE Linearity * Complement to MMBT1015 ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing 1 2 3MMBT1815G-x-AC3-R SOT-113 E B C Tape ReelMMBT1815G-x-AE3-R S

 9.1. Size:112K  motorola
mmbt1010 msd1010t1.pdfpdf_icon

MMBT1893

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT1010LT1/DMMBT1010LT1Low Saturation Voltage MSD1010T1Motorola Preferred DevicesPNP Silicon Driver TransistorsPart of the GreenLine Portfolio of devices with energyconserving traits.This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed to conserve energyPNP GENERALin general purpose driver applicatio

 9.2. Size:185K  fairchild semi
mmbt100.pdfpdf_icon

MMBT1893

PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100ANPN General Purpose Amplifier3 This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. Sourced from process 10.2SOT-23TO-92 111. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Mark: N1/N1AMark: PN100/PN100AAbsolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise notedSymbol Paramet

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SD1576 | DRC4144E | DRC5A43T | CZT5338 | 2SC957 | CXTA14 | BC847U

 

 
Back to Top

 


 
.