MMBT5089 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT5089  📄📄 

Маркировка: 1R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: TO236

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для MMBT5089

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT5089 даташит

 ..1. Size:298K  motorola
mmbt5088 mmbt5089.pdfpdf_icon

MMBT5089

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT5088LT1/D MMBT5088LT1 Low Noise Transistors * MMBT5089LT1 COLLECTOR NPN Silicon 3 *Motorola Preferred Device 1 BASE 2 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol 5088LT1 5089LT1 Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO 30 25 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 Collector Base Voltage VCBO 35 30 Vdc SOT 23 (TO 236A

 ..2. Size:97K  fairchild semi
2n5088 mmbt5088 2n5089 mmbt5089.pdfpdf_icon

MMBT5089

2N5088 MMBT5088 2N5089 MMBT5089 C E C TO-92 B B SOT-23 E Mark 1Q / 1R NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1 A to 50 mA. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 2N5088 30 V 2N5089 25 V VCBO

 ..3. Size:2148K  kexin
mmbt5089.pdfpdf_icon

MMBT5089

SMD Type Transistors NPN Transistors MMBT5089 (KMBT5089) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=100mA Collector Emitter Voltage VCEO=25V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage V

 ..4. Size:352K  cn shikues
mmbt5089.pdfpdf_icon

MMBT5089

NPN General Purpose Amplifier For low noise, high gain, general purpose amplifier For low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1 A to 50mA. applications at collector currents from 1 A to 50mA. 1 Base 2 Emitter 3 Collector 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Marking 1RM SOT-23 Plastic Package 23 Plastic Package Absolu

Другие транзисторы: MMBT4888, MMBT4889, MMBT4890, MMBT4916, MMBT4917, MMBT4964, MMBT4965, MMBT5088, TIP42, MMBT5127, MMBT5128, MMBT5129, MMBT5130, MMBT5131, MMBT5132, MMBT5133, MMBT5134