Справочник транзисторов. MMBT8598

 

Биполярный транзистор MMBT8598 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT8598
   Маркировка: 2K
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBT8598

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT8598 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:814K  semtech
mmbt8550c mmbt8550d.pdfpdf_icon

MMBT8598

MMBT8550(1.5A) PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor For switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. As complementary type the NPN transistor MMBT8050 (1.5A) is recommended. 1.Base 2.Emitter 3.Collector TO-236 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (T = 25 C) aParameter Symbol Value Unit Collector Bas

 8.2. Size:332K  topdiode
mmbt8550.pdfpdf_icon

MMBT8598

Tel/Fax: +86 (0)769 82827329 Skype: topdiodeEmail: info@topdiode.com Website: www.topdiode.comTel/Fax: +86 (0)769 82827329 Skype: topdiodeEmail: info@topdiode.com Website: www.topdiode.com

 8.3. Size:131K  wej
mmbt8550lt1.pdfpdf_icon

MMBT8598

RoHS MMBT8550LT1PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-2332W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE1RADIOS IN CLASSB PUSH-PULL OPERATION2 Complement to MMPT8050LT11.1.BASE Collector-current:Ic=-500mA 2.EMITTER High Total Power Dissipation:Pc=225mW2.43.COLLECTOR1.3Unit:mmoABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Symbol Rating UnitCharacteristicCollector-Base Voltage

 8.4. Size:449K  agertech
mmbt8550c mmbt8550d.pdfpdf_icon

MMBT8598

MMBT8550C/DFeatures For switching and amplifier applications Especially suitable for AF-Driver stages and lowpower output stages As complementary type of the NPN transistorMMBT8050C/D is recommendedAbsolute maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 25 VEmitter Base V

Другие транзисторы... MMBT6076 , MMBT6427 , MMBT6427LT1 , MMBT6428 , MMBT6429 , MMBT6517 , MMBT6520 , MMBT6543 , 2N5401 , MMBT8599 , MMBT918 , MMBT918R , MMBT930 , MMBT930R , MMBTA05 , MMBTA05LT1 , MMBTA06 .

 

 
Back to Top

 


 
.