Биполярный транзистор MMBTA05LT1 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MMBTA05LT1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MMBTA05LT1 Datasheet (PDF)
mmbta05lt1 mmbta06lt1.pdf

MMBTA05LT1G,MMBTA06LT1GDriver TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant 31MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value Unit2Collector-Emitter Voltage VCEO VdcEMITTERMMBTA05LT1 60MMBTA06LT1 803Collector-Base Voltage VCBO VdcMMBTA05LT1 601MMBTA06LT1 802Emitter-Base Vo
mmbta05lt1g.pdf

MMBTA05L, MMBTA06L,SMMBTA06LDriver TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueCOLLECTORSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and3PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1CompliantBASE2EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3
nsvmmbta05lt1g.pdf

MMBTA05L, MMBTA06LDriver TransistorsNPN SiliconFeatures S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringhttp://onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableCOLLECTOR3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitEMITTERCollec
mmbta05l mmbta06.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBTA05LT1/DMMBTA05LT1Driver TransistorsMMBTA06LT1*NPN SiliconCOLLECTOR*Motorola Preferred Device31BASE32EMITTER1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol MMBTA05 MMBTA06 UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 60 80 VdcCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorBase Voltage VCBO 60 80 VdcEmit
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: NB121FJ | GES3499



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet