MMPQ2222. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MMPQ2222
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75
Корпус транзистора: SOP16
Аналоги (замена) для MMPQ2222
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MMPQ2222 даташит
mmpq2222.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMPQ2222/D Quad General Purpose MMPQ2222 Transistors * MMPQ2222A 1 16 NPN Silicon 2 15 *Motorola Preferred Device 3 14 4 13 5 12 6 11 7 10 8 9 16 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol MMPQ2222 MMPQ2222A Unit CASE 751B 05, STYLE 4 Collector Emitter Voltage VCEO 30 40 Vdc SO 16 Collector Base Voltage VCB 60 7
mmpq2222.pdf
MMPQ2222 B4 E4 NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier B3 E3 B2 This device is for use as a medium power amplifier and switch E2 B1 requiring collector currents up to 500mA. C4 E1 C4 C3 Sourced from process 19. C3 C2 C2 C1 C1 SOIC-16 Mark MMPQ2222 Absolute Maximum Ratings * Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Vol
ffb2222a fmb2222a mmpq2222a.pdf
FMB2222A FFB2222A MMPQ2222A B4 E2 C2 E4 B2 B3 E1 E3 C1 B2 C1 E2 B1 E1 C4 C4 C2 B2 C3 SC70-6 B1 E2 C3 Mark .1P pin #1 E1 C2 pin #1 B1 C2 SOIC-16 C1 NOTE The pinouts are symmetrical; pin 1 and pin C1 Mark SuperSOT -6 pin #1 4 are interchangeable. Units inside the carrier can MMPQ2222A Mark .1P be of either orientation and will not affect the functionality
mmpq2222a.pdf
MMPQ2222A Preferred Device Quad General Purpose Transistor NPN Silicon http //onsemi.com 1 MAXIMUM RATINGS 16 2 15 Rating Symbol Value Unit 3 14 4 13 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 5 12 6 11 Collector-Base Voltage VCB 75 Vdc 7 10 Emitter-Base Voltage VEB 5.0 Vdc 8 9 Collector Current - Continuous IC 500 mAdc Four Transistors Equal Power Total Power Dissipation PD W
Другие транзисторы: MMCM3904, MMCM3905, MMCM3906, MMCM3960, MMCM4261, MMCM918, MMCM930, MMCS3959, S9013, MMPQ2222A, MMPQ2369, MMPQ2907, MMPQ2907A, MMPQ3467, MMPQ3725, MMPQ3725A, MMPQ3762
History: BCW33R | BCW33LT1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet





