Справочник транзисторов. 2N4425

 

Биполярный транзистор 2N4425 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N4425
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.56 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: X28-1

 Аналоги (замена) для 2N4425

 

 

2N4425 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:353K  rca
2n442.pdf

2N4425

 9.2. Size:45K  philips
2n3866 2n4427.pdf

2N4425
2N4425

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEET2N3866; 2N4427Silicon planar epitaxialoverlay transistors1995 Oct 27Product specificationSupersedes data of August 1986File under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationSilicon planar epitaxial2N3866; 2N4427overlay transistorsDESCRIPTION APPLICATIONSNPN overlay transistors in TO-39 metal packages wi

 9.3. Size:132K  st
2n4427 bfr98.pdf

2N4425
2N4425

 9.4. Size:59K  central
2n4427.pdf

2N4425

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.5. Size:74K  central
2n4424.pdf

2N4425
2N4425

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.6. Size:94K  no
2n4424.pdf

2N4425
2N4425

 9.7. Size:14K  advanced-semi
2n4429.pdf

2N4425

2N4429 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: PACKAGE STYLE .280 4L STUD The ASI 2N4429 is Designed for A 45Class C Amplifier Applications Up to 1,000 MHz. B FEATURES: C D PG = 7.5 dB Typ. at 1.0 W/1000 MHz JE I Emitter Ballasting for Ruggedness F Omnigold Metallization System GH#8-32 UNCKMAXIMUM RATINGS MINIMUM MAXIMUMDIMin

 9.8. Size:28K  advanced-semi
2n4428.pdf

2N4425

2N4428NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTORPACKAGE STYLE TO-39DESCRIPTION:The 2N4428 is a High FrequencyTransistor Designed for Amplifier andOscillator Applications.MAXIMUM RATINGS IC 425 mAVCE 30 VPDISS 3.5 W @ TC = 25 OC TJ -65 OC to +200 OCTSTG -65 OC to +200 OC 1 = EMITTER 2 = BASE3 = COLLECTOR50 OC/WJCNONECHARACTERISTICS TC = 25 OCSYMBOL TE

Другие транзисторы... 2N4418 , 2N4419 , 2N442 , 2N4420 , 2N4421 , 2N4422 , 2N4423 , 2N4424 , 2SC2383Y , 2N4426 , 2N4427 , 2N4428 , 2N4429 , 2N443 , 2N4430 , 2N4431 , 2N4432 .

 

 
Back to Top