Биполярный транзистор MP110B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MP110B
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 106 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 65
Корпус транзистора: TO3
MP110B Datasheet (PDF)
9.1. Size:452K diodes
dmp1100ucb4.pdf
dmp1100ucb4.pdf
DMP1100UCB4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ @VGS = -4.5V, TA = +25C) Features and Benefits Built-in G-S Protection Diode against ESD 2kV HBM BVDSS RDS(ON) Qg Qgd ID Ultra Small 0.8mm x 0.8mm Package -12V 65m 9nC 2.4nC -3.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , D965 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
