2N4426 - описание и поиск аналогов

 

2N4426. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4426

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 135 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2N4426

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4426 даташит

 9.1. Size:353K  rca
2n442.pdfpdf_icon

2N4426

 9.2. Size:45K  philips
2n3866 2n4427.pdfpdf_icon

2N4426

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET 2N3866; 2N4427 Silicon planar epitaxial overlay transistors 1995 Oct 27 Product specification Supersedes data of August 1986 File under Discrete Semiconductors, SC08a Philips Semiconductors Product specification Silicon planar epitaxial 2N3866; 2N4427 overlay transistors DESCRIPTION APPLICATIONS NPN overlay transistors in TO-39 metal packages wi

 9.3. Size:132K  st
2n4427 bfr98.pdfpdf_icon

2N4426

 9.4. Size:59K  central
2n4427.pdfpdf_icon

2N4426

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

Другие транзисторы: 2N4419, 2N442, 2N4420, 2N4421, 2N4422, 2N4423, 2N4424, 2N4425, 2SC2625, 2N4427, 2N4428, 2N4429, 2N443, 2N4430, 2N4431, 2N4432, 2N4432A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.