Справочник транзисторов. MP14

 

Биполярный транзистор MP14 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MP14
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MP14 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:924K  russia
mp13 mp13b mp14a mp14b mp14i mp15a mp15b.pdfpdf_icon

MP14

 0.2. Size:1037K  cmos
cmp1405 cmb1405.pdfpdf_icon

MP14

CMP1405/CMB1405N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Product SummeryThe 1405 is a N-channel Power MOSFET. BVDSS RDSON ID It has specifically been designed to minimize 55V 5.5m 140Ainput capacitance and gate charge. The Applications device is therefore suitable in advanced LED power controllerhigh-efficiency switching applications. DC-DC &

 0.3. Size:672K  way-on
wml14n65c4 wmk14n65c4 wmm14n65c4 wmn14n65c4 wmp14n65c4 wmo14n65c4.pdfpdf_icon

MP14

WML1 MM14N65C14N65C4, WMK14N65C4, WM C4 WMN14N65C4, WMP14N65C4, WM C4 MO14N65C 650V n Power MOSFETV 0.33 Super JunctionDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

 0.4. Size:672K  way-on
wml14n70c4 wmk14n70c4 wmm14n70c4 wmn14n70c4 wmp14n70c4 wmo14n70c4.pdfpdf_icon

MP14

WML1 MM14N70C14N70C4, WMK14N70C4, WM C4 WMN14N70C4, WMP14N70C4, WM C4 MO14N70C 700V n Power MOSFETV 0.33 Super JunctionDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MMUN2133LT1 | PBSS5240X | 2N5034 | JE9011G | GT321V | KT837R1-IM | NB221XY

 

 
Back to Top

 


 
.