Справочник транзисторов. MP2100A

 

Биполярный транзистор MP2100A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MP2100A
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 106 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для MP2100A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MP2100A Datasheet (PDF)

 8.1. Size:193K  diodes
dmp2100u.pdfpdf_icon

MP2100A

DMP2100UP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(ON) MAX Package TA = +25C Low Input Capacitance 38m @ VGS = -10V -4.3A Fast Switching Speed -20V 43m @ VGS = -4.5V SOT23 -4.0A Low Input/Output Leakage 75m @ VGS = -2.5V -2.8A ESD Protected Up To 3kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compl

 8.2. Size:422K  diodes
dmp2100ucb9.pdfpdf_icon

MP2100A

DMP2100UCB9 DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ. @ VGS = -4.5V, TA = +25C) Features and Benefits LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit: VDSS RDS(on) Qg Qgd ID RDS(on) = 80m to Minimize On-State Losses -20V 80m 3.3nC 0.6nC -4A Qg = 3.3nC for Ultra-Fast Switching Vgs(th) = -0.7V typ. for a Low Turn-On Potential CSP with Footpr

 9.1. Size:400K  diodes
dmp210dufb4.pdfpdf_icon

MP2100A

DMP210DUFB4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID P-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance 5 @ VGS = -4.5V -200mA Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH) -170mA 7 @ VGS = -2.5V Low Input Capacitance -20V 10 @ VGS = -1.8V -140mA Fast Switching Speed -50mA 15 @ VGS = -1.5V

 9.2. Size:440K  diodes
dmp210dudj.pdfpdf_icon

MP2100A

DMP210DUDJDUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Dual P-Channel MOSFET Case: SOT-963 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound.UL Flammability Classification Rating 94V-0 o 5.0 @ -4.5V o 7.0 @ -2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 o 10 @ -1.8V Terminal Connections: See Diagra

Другие транзисторы... MP2062 , MP2063 , MP20A , MP20B , MP20D , MP20E , MP20G , MP20V , 2SA1015 , MP2137 , MP2137A , MP2138 , MP2138A , MP2139 , MP2139A , MP2140 , MP2140A .

History: MJ4647 | SFT126 | 2SB1123T | FTC4374 | 2SD662 | BD241B | MH0810

 

 
Back to Top

 


 
.