2N4449 - описание и поиск аналогов

 

2N4449. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4449

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO46

 Аналоги (замена) для 2N4449

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4449 даташит

 ..1. Size:66K  microsemi
 2n4449 2n2369a.pdf pdf_icon

2N4449

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

 0.1. Size:53K  microsemi
 2n4449ub.pdf pdf_icon

2N4449

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

 9.1. Size:64K  njs
 2n4445 2n4446 2n4447 2n4448.pdf pdf_icon

2N4449

 9.2. Size:444K  microsemi
 2n4440.pdf pdf_icon

2N4449

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N4434, 2N4435, 2N4436, 2N4437, 2N4438, 2N4439, 2N444, 2N4440, D965, 2N444A, 2N445, 2N4450, 2N4451, 2N4452, 2N4453, 2N445A, 2N446

 

 

 

 

↑ Back to Top
.