Справочник транзисторов. MP4053

 

Биполярный транзистор MP4053 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MP4053
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.24 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO36

 Аналоги (замена) для MP4053

 

 

MP4053 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:668K  diodes
dmp4051lk3.pdf

MP4053
MP4053

A Product Line ofDiodes IncorporatedGreenDMP4051LK340V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Green component and RoHS compliant (Note 1) 51m @ VGS= -10V -10.5A Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability -40V 85m @ VGS= -4.5V -8.4

 9.2. Size:701K  diodes
dmp4050ssd.pdf

MP4053
MP4053

A Product Line ofDiodes IncorporatedDMP4050SSD 40V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistanceID Fast switching speed V(BR)DSS RDS(on) Max TA = 25C Lead-Free, RoHS Compliant (Note 1) (Notes 4 & 6) Halogen and Antimony Free, Green Device (Note 1) 50m @ VGS = -10V -5.2A Qualified to

 9.3. Size:671K  diodes
dmp4050sss.pdf

MP4053
MP4053

A Product Line ofDiodes IncorporatedDMP4050SSS 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low on-resistanceID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Green component and RoHS compliant (Note 1) 50m @ VGS= -10V -6.0A Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability -40V 79m @ VGS= -4.5V -4.7A Me

 9.4. Size:266K  inchange semiconductor
dmp4051lk3.pdf

MP4053
MP4053

isc P-Channel MOSFET Transistor DMP4051LK3FEATURESDrain Current I = -10.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 51m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and general

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SD2101

 

 
Back to Top