Биполярный транзистор MPQ2221R Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MPQ2221R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO116
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MPQ2221R Datasheet (PDF)
mmpq2222.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMPQ2222/DQuad General PurposeMMPQ2222Transistors*MMPQ2222A1 16NPN Silicon2 15*Motorola Preferred Device3 144 135 126 117 108 916MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol MMPQ2222 MMPQ2222A UnitCASE 751B05, STYLE 4CollectorEmitter Voltage VCEO 30 40 VdcSO16CollectorBase Voltage VCB 60 7
mmpq2222.pdf

MMPQ2222B4E4NPN Multi-Chip General Purpose AmplifierB3E3B2 This device is for use as a medium power amplifier and switch E2B1requiring collector currents up to 500mA. C4E1C4C3 Sourced from process 19.C3C2C2C1C1SOIC-16Mark: MMPQ2222Absolute Maximum Ratings * Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Vol
ffb2222a fmb2222a mmpq2222a.pdf

FMB2222AFFB2222A MMPQ2222AB4E2C2E4B2 B3E1E3C1 B2C1E2B1E1C4C4C2B2C3SC70-6B1E2 C3Mark: .1Ppin #1 E1 C2pin #1 B1C2SOIC-16C1NOTE: The pinouts are symmetrical; pin 1 and pinC1Mark:SuperSOT-6 pin #14 are interchangeable. Units inside the carrier canMMPQ2222AMark: .1Pbe of either orientation and will not affect thefunctionality
mpq2222.pdf

MPQ2222 MPQ2222A NPN SILICON QUAD TRANSISTOR145 Adams Ave., Hauppauge, NY 11788 USA Phone (631) 435-1110 FAX (631) 435-1824 www.centralsemi.com TO-116 CASE Manufacturers of World Class Discrete SemiconductorsDESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPQ2222, MPQ2222A types are comprised of four independent Silicon NPN Transistors mounted in a 14 PIN DIP, designed for general
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: PN4142 | SGSIF444 | ZXTN4002Z | 2SC1557 | D4120P | BD518-5
History: PN4142 | SGSIF444 | ZXTN4002Z | 2SC1557 | D4120P | BD518-5



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor