MPQ5130 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPQ5130  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO116

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MPQ5130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MPQ5130 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: MPQ4890, MPQ4916, MPQ4917, MPQ4964, MPQ4965, MPQ5127, MPQ5128, MPQ5129, A42, MPQ5131, MPQ5132, MPQ5133, MPQ5134, MPQ5135, MPQ5136, MPQ5137, MPQ5138